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     集成电路版图设计/IC Layout培训班
   课程目标
       通过培训使学员专项技能水平达到相当于中级技术等级;掌握集成电路基本工艺设计知识、版图设计基础知识,了解半导体基础理论,能熟练使用EDA软件软件进行基本版图设计。
  培养对象
       专注于IC设计领域的人和希望了解整个IC设计流程的工程师,即将介入IC?设计领域的毕业生,即将转为从事半导体工作的人员,已经从事IC设计,如概念工程师,设计工程师,布线工程师,测试工程师,应用工程师,IC芯片设计项目经理。
   入学要求

        学员学习本课程应具备下列基础知识:
        ◆电路系统的基本概念。

   班级规模及环境--热线:4008699035 手机:15921673576( 微信同号)
       坚持小班授课,为保证培训效果,增加互动环节,每期人数限3到5人。
   上课时间和地点
上课地点:【上海】:同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站) 【深圳分部】:电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院 【北京分部】:北京中山学院/福鑫大楼 【南京分部】:金港大厦(和燕路) 【武汉分部】:佳源大厦(高新二路) 【成都分部】:领馆区1号(中和大道) 【沈阳分部】:沈阳理工大学/六宅臻品 【郑州分部】:郑州大学/锦华大厦 【石家庄分部】:河北科技大学/瑞景大厦 【广州分部】:广粮大厦 【西安分部】:协同大厦
最近开课时间(周末班/连续班/晚班)
集成电路版图设计班:2023年11月13日..(欢迎您垂询,视教育质量为生命!)
   实验设备
     ☆资深工程师授课

        ◆外地学员:代理安排食宿(需提前预定)
        ☆注重质量
        ☆边讲边练

        ☆合格学员免费推荐工作

        
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   质量保障

        1、培训过程中,如有部分内容理解不透或消化不好,可免费在以后培训班中重听;
        2、培训结束后免费提供半年的技术支持,充分保证培训后出效果;
        3、培训合格学员可享受免费推荐就业机会。

        集成电路版图设计/IC Layout培训班
  课程进度安排
课程大纲

第一阶段

 

课程进度安排
时间 课程大纲
第一阶段
学习目标 掌握Linux基本操作,vi编辑器的使用,virtuoso软件的操作。
  1 Linux的用户界面及工作站的登陆。
1.1 Linux概述
1.2 Linux系统访问
1.3 Linux的图形用户界面
1.4 Linux的文件和目录
1.5 文本编辑器Vi
实验:登陆工作站,访问相关目录和文件,编辑文件。
  2 virtuoso软件的启动
2.1 virtuoso软件的配置文件cds.lib
2.2 icfb的启动:icfb
2.3 版图建库的文件display.drf
实验:编辑 cds.lib文件。
启动icfb,建立一个layout 库,删除一个库。
3 virtuoso软件的操作
3.1 快捷的默认设置。
3.2 快捷的个人设置,怎么修改快捷键。
3.3 Grid的设置----0.005u
3.4 绘制Path、Rectangle
实验:编辑.cdsinit 文件。
使用快捷键绘制Path、Rectangle,切除、添加部分图形。
第二阶段
学习目标 了解IC版图的基本概念,半导体的工艺流程,学会做版图的基本器件。
  4 半导体基础理论、集成电路制造工艺
4.1 PN结
4.2 PN结二极管
4.3 MOS场效应晶体管
4.4 集成电路中的器件结构
4.5 外延生长
4.6 掩膜制版工艺
4.7 光刻
4.8 热氧化
4.9 掺杂工艺(热扩散、离子注入)
4.10 刻蚀
4.11 化学气相淀积
4.12 镀膜
5 集成电路设计概述
5.1 集成电路设计流程和设计工具
5.2 国内外集成电路技术发展概况
5.3 国内外主要集成电路晶圆代工厂(Foundry)介绍
  6 半导体器件原理及版图设计
6.1 Design Rule的基本概念及内容。
6.2 MOS管的版图设计及剖面图。
6.3 反相器(invter)的结构及版图设计
6.4 电阻的种类(well\poly\diff\mos)及版图设计
6.5 电容的种类(mim\mom\mos)及版图的设计
6.6 二极管及三极管的原理及版图设计
实验:做一个mos管,做所有的电阻和电容器件,做一个二极管及三极管。做一个invter,且把几个invter串起来组成一个小电路。
第三阶段
学习目标 学会做StdCell并用Calibre 来检查它的DRC和LVS。
  7 StdCell的概念和练习
7.1 StdCell的基本概念。
7.2 两种StdCell的区别。用在数字布线的StdCell和模拟中的StdCell。
7.3 nand2 nor2 nand3 nor3的做法。
7.4 把StdCell组合成一个模块。
实验:做各种StdCell并组合成一个模块。
8 DRC的概念及检查DRC的软件。
8.1 DRC的概念,基于Design Rule的check.
8.2 Calibre DRC的配置及操作。
8.3 DRC Command file (runset)的介绍。
8.4 DRC Results 的读取及修改ERROR。
9 LVS的概念及检查LVS
9.1 LVS的概念,Netlist的手工提取和自动提取。
9.2 Calibre LVS的配置及操作。
9.3 LVS Command file (runset)的介绍
9.4 LVS Report 的读取及修改ERROR。
实验:
1、用Calibre 检查StdCell 的DRC及修改
2、用Calibre 检查StdCell 的LVS及修改
第四阶段
学习目标 掌握做一个OPAMP的版图设计及LVS DRC的Check。
  10 IC layout模拟模块设计
10.1 OPAMP的原理及版图设计
10.2 交差对称的概念及版图设计(很重要)
10.3 Dummy的概念、原理及如何添加dummy
实验:做交差对称,注意dummy.
10.4 屏蔽线(Shielding line)的作用及做法。
10.5 其它对称的概念及版图设计
10.6 不同器件特性相对版图布局的关系
10.7 关键线的连接
10.8 电源和地线的连接
10.9 LVS DRC check
验:完成OP版图,及LVS DRC的check。
第五阶段
学习目标 掌握Bias模块的做法,掌握多模块的布局和版图的优化。
  11 bias模块的对称性及多个模块的布局
11.1 Bias的原理
11.2 Bias的对称及布局
11.3 三极管的对称及布局

实验:做一个bias,注意对称及布局
11.4 多个模块的布局
11.5 模块间的关系与布局
11.6 关键信号线的布局
11.7 大功率器件的摆放和对其它模块的影响
11.8 电源和地线的连接
实验:1 多个模块的布局
2 多个模块整合为一个模块。
第六阶段
学习目标 掌握 IC layout可靠性分析,并优化版图。
  12 IC layout 的可靠性分析
12.1 Latch up的原理和易发生Latch up的地方
12.2 IC layout中如何预防Latch up的发生。
12.3 大功率器件的摆放和安全。
12.4 电流密度的概念及实际情况的计算
12.5 大功率器件上的Metal线的电流密度计算
12.6 ESD静电防范措施,ESD器件的做法
12.7 ESD 器件的放电通路。
12.8 几种ESD放电Model。
实验:1做一个大功率的器件,注意预防Latch Up
2 计算大功率器件上的电流密度,电源线是不是足够。
3 做一个ESD器件,注意ESD器件的放电通路。
第七阶段
学习目标 掌握Chip 的概念及布局,完成一个chip。
  13 Chip 的概念及布局
13.1 PAD的概念和做法
13.2 Under PAD的器件做法及对PAD的要求。
13.3 ESD器件和PAD及内部模块的连接
13.4 电源和地线间的ESD放电通路,Power clamp的版图设计。
13.5 当对任意PAD打ESD时的放电通路。
13.6 ESD器件和内部的隔离
13.7 Sealring的概念和做法。
13.8 划片道的概念及通常大小
13.9 Density的概念和原因及添加Density的方法。
13.10 Antenna现象的发生及修改。
实验:
1 做一个PAD。
2 把PAD放在ESD器件上面,即做一个Under PAD的器件。
4 完成一个完整的chip
第八阶段
学习目标 掌握反向的layout 的软件和提取方法。了解Tapeout的流程。
  14 反向提取软件
14.1 如何操作反向软件
14.2 如何提取版图
14.3 把版图转化成电路图。
实验:
使用反向软件提取一个电路图。
15 Tapeout的概念
15.1 Tapeout的检查和验证
15.2 Tapeout中的问题及和晶圆代工厂(Foundry)的沟通
15.3 数据的导出和
15.4 Tapeout后的IP Merge
15.5 E-job view 的概念及做法。

 

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.(2014年7月11)................................................................................